[发明专利]一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201210209832.5 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102766406A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 陈高攀;顾忠华;龚桦;邹春莉;潘国顺 | 申请（专利权）人： | 深圳市力合材料有限公司;深圳清华大学研究院;清华大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 518108 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物及其制备方法，属于半导体表面抛光技术领域，特别涉及一种用于半导体硅片化学机械抛光(CMP)的抛光组合物领域。该组合物包括胶体二氧化硅磨粒、抛光加速剂、表面保护剂、分散剂、pH调节剂，所述的组合物的pH值为8.0～10.5。本发明通过表面活性剂作为表面保护剂与pH调节剂的共同使用下，使得他们更有利于吸附于半导体硅片表面，增强化学腐蚀和去除速率的统一性又可以控制化学腐蚀的速度。其可以有效的去除半导体硅片表面腐蚀和微观缺陷，并降低半导体硅片残余应力、损伤层和粗糙度。本发明抛光组合物价格便宜、成本低，在用于抛光中具有工艺简单可控等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 半导体 硅片 表面 缺陷 抛光 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物，其特征在于，该组合物包括胶体二氧化硅磨粒、抛光加速剂、表面保护剂、分散剂、pH调节剂，所述的组合物的pH值为8.0～10.5。
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