[发明专利]一种在N型硅衬底上快速形成P-N结的方法

摘要

本发明涉及一种在N型硅衬底上快速形成P-N结的方法，包括以下步骤：1）硅片的前期处理；2）硼源扩散快速形成P型发射结；3）酸腐蚀液或腐蚀性浆料腐蚀单面P型发射结；4）热氧化法生成SiO2膜；5）酸腐蚀液或腐蚀性浆料腐蚀非发射极面SiO2；6）磷源扩散形成N型前表面场；7）HF酸去磷硅玻璃PSG及部分SiO2；8）正面PECVD沉积50-80nmSiNx；9）正面印刷Ag浆并烘干；背面印刷AgAl浆；烧结。本发明将大大缩短硼扩散的工艺时间，优化生产工艺流程并减少高温对硅片质量的影响。

主权项

一种在N型硅衬底上快速形成P‑N结的方法，其特征在于包括以下步骤：1）硅片清洗，去除损伤层，表面碱制绒；2）硼源扩散快速形成P型发射结；3）酸腐蚀液或腐蚀性浆料腐蚀单面P型发射结；4）热氧化法生成SiO2膜，膜厚为100nm‑300nm，工艺时间为20min‑45min；5）酸腐蚀液或腐蚀性浆料腐蚀非发射极面SiO2；6）磷源扩散形成N型前表面场，方阻为80‑200ohm/sq；7）HF酸去磷硅玻璃PSG及部分SiO2，保留SiO2厚度为50‑80nm；8）正面PECVD沉积50‑80nmSiNx，折射率为1.9‑2.5；9）正面印刷Ag浆并烘干；10）背面印刷AgAl浆；11）烧结。