[发明专利]超硬半导体材料抛光方法有效
| 申请号： | 201210202351.1 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103506928A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 黄维;王乐星;庄击勇;陈辉;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304;C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种超硬半导体材料抛光方法，通过参数非常接近的粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程，可使被加工的超硬半导体材料获得极低表面粗糙度且具有原子台阶表面。本发明仅使用三个工艺，大大简化了超硬材料的抛光流程，降低了成本，保证了加工质量的一致性和稳定性，提高了成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种超硬半导体材料抛光方法，包括：粗抛光：超硬半导体材料采用PH值为3至11、浓度为3%至50%、粒径为1.5μm至6μm的金刚石抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm2至20g/cm2，抛光盘转速为30rpm至90rpm；精抛光：对经粗抛光的超硬半导体材料采用采用PH值为3至11，浓度为3%至50%，粒径为0.5μm至3μm的金刚石抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm2至20g/cm2，抛光盘转速为30rpm至90rpm；以及化学机械抛光：对经精抛光的超硬半导体材料采用PH值为4.5至10，浓度为3%至30%，粒径为10nm至100nm的硅溶胶，以H2O2和硅溶胶之比为1:5至1:25的比例范围加入H2O2，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm2至15g/cm2，抛光盘转速为50rpm至100rpm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所，未经上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210202351.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
