[发明专利]超硬半导体材料抛光方法

权利要求书

1.一种超硬半导体材料抛光方法，包括：

粗抛光：超硬半导体材料采用PH值为3至11、浓度为3%至50%、粒径为1.5μm至6μm的金刚石抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm²至20g/cm²，抛光盘转速为30rpm至90rpm；

精抛光：对经粗抛光的超硬半导体材料采用采用PH值为3至11，浓度为3%至50%，粒径为0.5μm至3μm的金刚石抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm²至20g/cm²，抛光盘转速为30rpm至90rpm；以及

化学机械抛光：对经精抛光的超硬半导体材料采用PH值为4.5至10，浓度为3%至30%，粒径为10nm至100nm的硅溶胶，以H₂O₂和硅溶胶之比为1:5至1:25的比例范围加入H₂O₂，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm²至15g/cm²，抛光盘转速为50rpm至100rpm。

2.根据权利要求1所述的超硬半导体材料抛光方法，其特征在于，所述粗光抛、精光抛和化学机械抛光采用抛光布进行。

3.根据权利要求2所述的超硬半导体材料抛光方法，其特征在于，所述抛光布的邵氏硬度为30至90。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的超硬半导体材料抛光方法，其特征在于，所述粗抛光的时间在30分钟以上且在5小时以下。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的超硬半导体材料抛光方法，其特征在于，所述精抛光的时间在1小时以上且在5小时以下。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的超硬半导体材料抛光方法，其特征在于，所述化学机械抛光的时间在3小时以上且在20小时以下。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的超硬半导体材料抛光方法，其特征在于，在所述化学机械抛光的过程中以H₂O₂和硅溶胶之比为1:10加入H₂O₂。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的超硬半导体材料抛光方法，其特征在于，还包括：

在进行所述粗抛光之前，对超硬半导体材料进行加工处理使用于粗抛光的超硬半导体材料满足晶片厚度在250μm至1000μm，线痕深度小于10μm，晶片翘曲度小于50μm，并且晶片厚度不均匀性小于30μm，所述加工处理包括切割和/或研磨。

9.根据权利要求8所述的超硬半导体材料抛光方法，其特征在于，所述超硬半导体材料的加工面是（0001）面、（01-10）面和（11-20）面。

10.根据权利要求9所述的超硬半导体材料抛光方法，其特征在于，所述超硬半导体材料的晶片方向与（0001）面、（01-10）面和（11-20）面的夹角为0至15度。

11.根据权利要求1～3中任一项所述的超硬半导体材料抛光方法，其特征在于，所述超硬半导体材料为碳化硅、氧化铝、氮化铝和氮化镓。