[发明专利]一种化合物半导体晶圆结构

摘要

本发明关于一种化合物半导体晶圆结构，包含一基板、一n型场效晶体管磊晶结构，一n型掺杂蚀刻终止层、一p型插入层以及一npn异质接面双极晶体管磊晶结构，可用以制作场效晶体管、异质接面双极晶体管或门流管晶体管。

主权项

一种化合物半导体晶圆结构，整合一场效晶体管、一异质接面双极晶体管以及一闸流管晶体管的磊晶结构，依序包含：一基板；一场效晶体管磊晶结构，位于该基板之上，包含：一通道层，以及一n型掺杂层位于该通道层之上；一n型掺杂蚀刻终止层；一p型插入层，位于该n型掺杂蚀刻终止层之上；以及一异质接面双极晶体管结构，位于该p型插入层之上，包含：一次集极层，为一n型掺杂层，一集极层，位于该次集极层之上，为一n型掺杂层，一基极层，位于该集极层之上，为一p型掺杂层，以及一射极层，位于该基极层之上，为一n型掺杂层；其中该场效晶体管磊晶结构、该n型掺杂蚀刻终止层、该p型插入层以及该异质接面双极晶体管磊晶结构的次集极层、集极层与基极层构成一闸流管晶体管磊晶结构。