[发明专利]控制灵敏放大器开启的追踪电路和采用追踪电路的SRAM有效
| 申请号： | 201210186811.6 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474093A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 潘劲东;魏芳伟;丁艳;张静;李湘玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于控制灵敏放大器开启的追踪电路和采用该追踪电路的SRAM，所述追踪电路包括：用于模拟SRAM中的存储单元位线放电的位线放电复制模块，通过复制位线连接于所述灵敏放大器的控制端；用于模拟SRAM中存储单元漏电流的漏电流模拟模块，通过复制位线连接于所述灵敏放大器的控制端。本发明所公开的追踪电路是在现有的追踪电路基础上，增加了用于模拟SRAM中存储单元漏电流的漏电流模拟模块，利用该漏电流模拟模块补偿因SRAM中的位于同一列上其它不读写存储单元的漏电流而增加的位线放电时间，使得经过本发明的追踪电路后的SAE信号的延时更逼近于存储单元位线的真实放电时间，进而有效控制灵敏放大器的开启，加快SRAM的读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 灵敏 放大器 开启 追踪 电路 采用 sram | ||
【主权项】：
一种用于控制灵敏放大器开启的追踪电路，包括用于模拟SRAM中的存储单元位线放电的位线放电复制模块，通过复制位线连接于所述灵敏放大器的控制端，其特征在于，还包括：用于模拟SRAM中存储单元漏电流的漏电流模拟模块，通过复制位线连接于所述灵敏放大器的控制端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210186811.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
