[发明专利]控制灵敏放大器开启的追踪电路和采用追踪电路的SRAM有效
| 申请号： | 201210186811.6 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474093A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 潘劲东;魏芳伟;丁艳;张静;李湘玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 灵敏 放大器 开启 追踪 电路 采用 sram | ||
【权利要求书】：
1.一种用于控制灵敏放大器开启的追踪电路，包括用于模拟SRAM中的存储单元位线放电的位线放电复制模块，通过复制位线连接于所述灵敏放大器的控制端，其特征在于，还包括：
用于模拟SRAM中存储单元漏电流的漏电流模拟模块，通过复制位线连接于所述灵敏放大器的控制端。
2.根据权利要求1所述的追踪电路，其特征在于：所述位线放电复制模块包括多个复制存储单元，所述多个复制存储单元之间通过复制字线和复制位线连接，并通过所述复制位线连接于所述灵敏放大器的控制端。
3.根据权利要求2所述的追踪电路，其特征在于：所述漏电流模拟模块包括PMOS管和NMOS管，所述PMOS管和所述NMOS管通过源漏极串联，且所述PMOS的漏极连接于输入电源，所述NMOS的源极通过所述复制位线连接于所述灵敏放大器的控制端，所述PMOS管的栅极和所述NMOS管的栅极接地。
4.根据权利要求1至3任一项所述的追踪电路，其特征在于：所述追踪电路还包括反相器，所述复制位线通过所述反相器连接于所述灵敏放大器的控制端。
5.一种SRAM，包括存储阵列以及与所述存储阵列电连接的灵敏放大器，其特征在于：还包括权利要求1至4任一项所述的用于控制灵敏放大器开启的追踪电路，所述追踪电路与所述灵敏放大器的控制端电连接。
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