[发明专利]一种有机光电器件透明氧化物电极的溶液处理方法无效

专利信息
申请号: 201210178915.2 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN102709490A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 张健;李传南;张睿;高志杨;刘川;赵毅 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 张景林;刘喜生
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于有机光电器件领域,具体涉及有机光电器件透明氧化物电极的一种处理方法,这是制作有机光电器件的一个工艺步骤,该方法可以提高有机光电器件的性能。其过程是先配置无机化合物LiClO4、NaClO4、NaMnO4、KClO4、RbClO4、RbMnO4、CsClO4、CsMnO4的去离子水溶液,然后将清洁处理的透明氧化物电极及其衬底浸入上述化合物的溶液中进行超声处理,取出后用去离子水冲掉电极表面残存溶液,烘干并进行紫外或等离子体处理。该方法成本低、操作简便,对器件的稳定性没有影响,可以大面积处理和批量处理,仅使用现有工业生产中的透明氧化物电极清洗设施即可完成。
搜索关键词: 一种 有机 光电 器件 透明 氧化物 电极 溶液 处理 方法
【主权项】:
一种有机光电器件透明氧化物电极的溶液处理方法,包括如下步骤:1)用丙酮、乙醇和去离子水依次清洗制作在衬底上的透明氧化物电极,重复3~5次,以去除透明氧化物电极表面的污染物和杂质,清洗后烘干,从而得到清洁的透明氧化物电极;2)在室温下将LiClO4、NaClO4、NaMnO4、KClO4、RbClO4、RbMnO4、CsClO4或CsMnO4晶体加入去离子水中,超声溶解,溶液浓度为50~500mg/L;3)将清洁后的透明氧化物电极及其衬底置入步骤2)的溶液中,超声处理5~20min;4)取出透明氧化物电极,用去离子水冲洗掉透明氧化物电极表面残留的溶液,烘干后紫外处理5~8min,紫外功率为50~80W,或氧等离子体处理3~5min,放电功率30~50W,氧气流量为20~50mL/min,从而完成对透明氧化物电极的处理。
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