[发明专利]发光二极管封装构造及其承载件有效

专利信息
申请号: 201210173756.7 申请日: 2012-05-30
公开(公告)号: CN102751425A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 詹勋伟 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种发光二极管封装构造及其承载件,所述发光二极管封装构造包含一承载件、一发光二极管芯片以及至少一导线。所述承载件包括一导线架及一绝缘胶体,所述导线架具有一芯片承座以及至少一电极,所述芯片承座与电极之间通过一间隙形成电性绝缘;所述电极具有至少一凹陷结构,所述绝缘胶体底部的绝缘材料包覆部分所述导线架,并且填充至所述间隙及凹陷结构中,所述凹陷结构内的绝缘材料可延长外部水气渗入到所述承载件内的路径,因而减少所述芯片承座及电极的表面氧化现象。
搜索关键词: 发光二极管 封装 构造 及其 承载
【主权项】:
一种发光二极管封装构造,其特征在于:所述发光二极管封装构造包含:一承载件,所述承载件包括:一导线架,具有一芯片承座以及至少一电极,所述芯片承座与电极之间通过一间隙形成电性绝缘,所述电极具有一打线部位及一凹陷结构,所述打线部位相对靠近所述芯片承座;及一绝缘胶体,具有一倾斜壁面,以形成一开口及一容置空间,所述容置空间内具有至少一凹口,及所述凹陷结构对应位于所述凹口处,所述绝缘胶体包覆部分所述导线架,并且填充至所述间隙及凹陷结构中;一发光二极管芯片,位于所述芯片承座上;以及至少一导线,其电性连接所述发光二极管芯片以及所述电极的打线部位,其中所述凹口对应于所述导线与电极电性连接的部位。
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