[发明专利]一种高深宽比微纳复合结构制作方法

摘要

本发明公开了一种高深宽比微纳复合结构制作方法，属于微纳电子机械系统加工领域。本发明通过先制作微米结构后制作纳米结构的方法实现有序可控高深宽比微纳复合结构制作。以金属层作为纳米结构刻蚀掩膜，工艺过程中首先将纳米结构图形转移到金属层上，再以光刻胶为掩膜制作微米结构，最后以金属层为掩膜制作纳米结构，通过刻蚀掩膜与刻蚀材料的高选择比以及先制作微米结构后制作纳米结构的顺序，实现高深宽比的微纳复合结构制作。工艺过程简单，易于实现微纳结构集成，将广泛应用于仿生微纳复合结构的制作以及超疏水结构的制作中。

主权项

一种高深宽比微纳复合结构制作方法，包括如下步骤：步骤1：标准清洗单晶硅基底（1），在洁净的单晶硅基底（1）正面溅射金属（2）。步骤2：在金属（2）上旋涂第一层光刻胶（3），将纳米结构转移到第一层光刻胶（3）上。继续以第一层光刻胶（3）为掩膜刻蚀金属（2），将纳米结构图形转移到金属（2）上。步骤3：去除第一层光刻胶（3），在具有纳米结构的金属（2）表面上旋涂第二层光刻胶（4）。步骤4：以微米结构掩模版为掩膜，通过光刻工艺将微米结构图形转移到第二层光刻胶（4）上。步骤5：以第二层光刻胶（4）为掩膜，刻蚀金属（2），将暴露部分的金属2）刻蚀干净，而被第二层光刻胶（4）保护部分的具有纳米结构图形的金属（2）作为纳米结构刻蚀掩膜保留下来。步骤6：再以第二层光刻胶（4）为掩膜，通过深反应离子刻蚀机刻蚀单晶硅基底（1），形成微米结构，通过调整刻蚀时间实现控制微米结构刻蚀深度，实现不同深宽比的微米结构制作。步骤7：去除第二层光刻胶（4），以金属（2）为掩膜，通过深反应离子刻蚀机刻蚀单晶硅基底（1），形成纳米结构，同样通过调整刻蚀时间实现控制纳米结构深度，实现不同深宽比的纳米结构制作。步骤8：去除金属（2），完成高深宽比微纳复合结构制作。