[发明专利]一种基于自对准双图案的半导体制造方法有效
| 申请号： | 201210162459.2 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103426809A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于自对准双图案的半导体制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成的低k材料或超低k材料层上方形成含硅掩膜层；在该含硅掩膜层上方形成不含氮的氧化物掩膜层；在该不含氮的氧化物掩膜层上方形成金属掩膜层；在该金属掩膜层上方形成氧化物掩膜层；图案化所述氧化物掩膜层；在所述图案化了的氧化物掩膜层和所述金属掩膜层上沉积氮化物，然后对该氮化物进行蚀刻，以在所述氧化物掩膜层的侧壁形成间隔壁；进行一端切步骤，以去除所述氧化物掩膜层两端的氮化物间隔壁；沉积一氧化物，以填充所述氮化物间隔壁之间的空隙；去除所述氮化物间隔壁。本发明的优点在于提高了制造过程中氧化物和氮化物的选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 对准 图案 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于自对准双图案的半导体制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成的低k材料或超低k材料层上方形成含硅掩膜层；在该含硅掩膜层上方形成不含氮的氧化物掩膜层；在该不含氮的氧化物掩膜层上方形成金属掩膜层；在该金属掩膜层上方形成氧化物掩膜层；图案化所述氧化物掩膜层；在所述图案化了的氧化物掩膜层和所述金属掩膜层上沉积氮化物，然后对该氮化物进行蚀刻，以在所述氧化物掩膜层的侧壁形成间隔壁；进行一端切步骤，以去除所述氧化物掩膜层两端的氮化物间隔壁；沉积一氧化物，以填充所述氮化物间隔壁之间的空隙；去除所述氮化物间隔壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
