[发明专利]非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备有效
申请号: | 201210161364.9 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN102677011A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 文晓斌;栾亚 | 申请(专利权)人: | 文晓斌 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/52 |
代理公司: | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 | 代理人: | 郭防 |
地址: | 518104 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,包括真空腔(1)和控制柜(3),真空腔(1)下方设有真空控制柜(2),控制柜(3)上设有手动操作界面(4)和全自动操作界面(5),真空腔(1)上设有侧开式炉门(18),真空控制柜(2)后方设有氩气瓶(8)和氮气瓶(9),真空控制柜(2)后面设有气体压力表(10),还内设有气体流量反馈系统(16)与气体压力表(10)相连。本发明设有气体流量反馈系统,通过辉光放电的光谱信号来确定反应气体浓度,分析、判断出气体流量速率的调整范围,精确的对气体流量控制器进行调整,使通入气体压力保持最佳状态,保证薄膜的致密度和附着性。 | ||
搜索关键词: | 平衡 闭合 磁控溅射 离子镀 设备 | ||
【主权项】:
一种非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,包括真空腔(1)和控制柜(3),其特征在于:真空腔(1)下方设有真空控制柜(2),控制柜(3)上设有手动操作界面(4)和全自动操作界面(5),真空腔(1)上设有侧开式炉门(23),真空控制柜(2)后方设有氩气瓶(8)和氮气瓶(9),真空控制柜(2)后面设有气体压力表(10),还内设有气体流量反馈系统(16)与气体压力表(10)相连。
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