[发明专利]RFLDMOS中形成厚氧化硅隔离层的制造方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS中形成厚氧化硅隔离层的制造方法，在P型硅衬底上生长P型外延，并在其上生长ON叠层，光刻和干刻ON叠层形成场氧开口，在硅层中刻蚀形成凹进；淀积氧化硅层并进行光刻和干刻，间隔打开氧化硅层并刻蚀深沟槽；相邻深沟槽之间的侧壁厚度为常规场氧厚度的0.5～0.7，深沟槽宽度等于侧壁厚度加0.2～1.0μm；刻蚀去除氧化硅层；对硅片进行场氧化并消耗侧壁；淀积氧化硅并填充深沟槽，氧化硅高于氮化硅层；打开有氮化硅层的区域，化学机械平坦化去除氮化硅层上的氧化硅，平坦化其余位置的氧化硅；去除氮化硅层和氧化硅热氧层。本发明隔离结构的厚度大大提高，整个晶片表面形貌平整，降低了后续工艺的缺陷，流程简单易行，最小化工艺成本。

主权项

一种RFLDMOS中形成厚氧化硅隔离层的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第1步，在P型硅衬底（1）上生长P型外延（2）；第2步，在P型外延（2）上生长一氧化硅热氧层（3），在氧化硅热氧层（3）上淀积一氮化硅层（4），所述氧化硅热氧层（3）和氮化硅层（4）形成ON叠层，且氮化硅层（4）的厚度大于氧化硅热氧层（3）的厚度；对ON叠层进行光刻和干刻，形成场氧开口，并向内刻蚀在P型外延（2）中形成凹进区（6），所述场氧开口包括厚氧化硅隔离层形成处的场氧开口和常规场氧区形成处的场氧开口；第3步，整体淀积一氧化硅层（5），所述氧化硅层（5）的厚度大于氮化硅层（4）的厚度，并与ON叠层形成ONO叠层；进行光刻和干刻，间隔地打开厚氧化硅隔离层形成处的氧化硅层（5），并在打开区域刻蚀深沟槽（7）；所述相邻的深沟槽（7）之间为侧壁（8），所述侧壁（8）的厚度为常规场氧厚度的0.5～0.7倍，深沟槽（7）的宽度等于侧壁（8）的厚度加0.2～1.0μm；第4步，刻蚀去除位于ONO叠层顶层的氧化硅层（5）；第5步，对硅片进行场氧化，使侧壁（8）完全被消耗，深沟槽（7）的宽度留有0.2～0.8μm；第6步，整体淀积氧化硅（10），并在深沟槽（7）内完全填充氧化硅（10），所述氧化硅（10）在深沟槽（7）所在区域高于氮化硅层（4）的表面；第7步，光刻打开有氮化硅层（4）的区域，将氮化硅层（4）上的氧化硅（10）刻蚀至0～5000埃；利用化学机械平坦化去除氮化硅层（4）上的氧化硅（10），并将其余位置的氧化硅（10）平坦化；第8步，去除氮化硅层（4）和氮化硅层（4）下方的氧化硅热氧层（3）。