[发明专利]制造主动阵列基板的方法与主动阵列基板有效

专利信息
申请号: 201210146770.8 申请日: 2012-05-08
公开(公告)号: CN102956550A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 唐文忠;舒芳安;蔡耀州;辛哲宏 申请(专利权)人: 元太科技工业股份有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭露一种制造主动阵列基板的方法与主动阵列基板。制造主动阵列基板的方法包括:形成第一图案化金属层于基材上;依序形成半导体层、绝缘层以及第二金属层覆盖第一图案化金属层;形成图案化光阻层于第二金属层上,图案化光阻层包含一第一区域以及一第二区域,且第一区域的图案化光阻层的厚度小于第二区域的图案化光阻层的厚度;图案化第二金属层及其下方的绝缘层和半导体层,并移除该第一区域的图案化光阻层;加热第二区域的图案化光阻层,使其流动而形成保护层;以及形成像素电极。
搜索关键词: 制造 主动 阵列 方法
【主权项】:
一种制造主动阵列基板的方法,其特征在于,包含:形成一第一图案化金属层于一基材上;依序地形成一半导体层、一绝缘层以及一第二金属层覆盖该第一图案化金属层;形成一图案化光阻层于该第二金属层上;图案化该第二金属层及其下方的该绝缘层和该半导体层,以形成一第二图案化金属层、一图案化绝缘层以及一图案化半导体层,并移除一部分的该图案化光阻层;加热另一部分的该图案化光阻层,使其流动而形成一保护层覆盖该第二图案化金属层的一侧壁、该图案化绝缘层的一侧壁、该图案化半导体层的一侧壁以及该第一图案化金属层的一部分;以及形成一像素电极于该基材与该保护层上,且该像素电极电性连接该第一图案化金属层的另一部分。
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