[发明专利]EEPROM存储单元以及EEPROM存储器有效
| 申请号： | 201210143432.9 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102682845B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种EEPROM存储单元以及EEPROM存储器。根据本发明的EEPROM存储单元包括：主存储器件、次存储器件、以及字线控制器件；其中主存储器件的源极连接至EEPROM存储单元的主位线、主存储器件的漏极连接至字线控制器件的源极，字线控制器件的漏极连接至次存储器件的源极，次存储器件的漏极连接至EEPROM存储单元的次位线。主存储器件的栅极作为主控制栅极，次存储器件的栅极作为次控制栅极，字线控制器件的栅极连接EEPROM存储单元的字线。只使用次存储器件和主存储器件中的一个，并且次存储器件和主存储器件中的另一个存储器件则作为备用单元。次存储器件和主存储器件被一起擦除。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 存储 单元 以及 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种EEPROM存储单元，其特征在于包括：主存储器件、次存储器件、以及字线控制器件；其中主存储器件的源极连接至EEPROM存储单元的主位线、主存储器件的漏极连接至字线控制器件的源极，字线控制器件的漏极连接至次存储器件的源极，次存储器件的漏极连接至EEPROM存储单元的次位线；只编程和读取次存储器件和主存储器件中的一个，并且次存储器件和主存储器件中的另一个存储器件则作为备用单元,并且次存储器件和主存储器件被一起擦除。
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