[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201210142499.0 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102709145A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 舆水地盐 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体处理装置。在周期性地对在等离子体处理中使用的高频的功率进行调制的方式中，尽可能地减少等离子体阻抗的变动和向高频电源的反射，保证等离子体的稳定性、再现性以及高频电源的安全保护。在该等离子体处理装置中，不仅以与处理相应的特性对偏压控制用高频（LF）的功率进行频率调制，还与LF功率的脉冲调制同步地对其频率（LF频率）进行脉冲调制。即，使LF功率与LF频率之间在1个周期内具有如下的同步关系，在LF功率维持H电平的设定值PA的期间TA的时段内，LF频率也维持H电平的设定值FA，在LF功率维持L电平的设定值PB的期间TB的时段内，LF频率也维持L电平的设定值FB。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：能够进行真空排气的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；第一高频供电部，其向配置在所述处理容器之中或附近的第一电极或天线施加第一高频，以在所述处理容器内对所述处理气体进行激励而生成等离子体；以规定的周期对所述第一高频的功率进行调制的第一高频功率调制部；和与所述第一高频的功率调制实质上同步地对所述第一高频的频率进行调制的第一频率调制部。
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