[发明专利]常关型高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 201210135923.9 | 申请日： | 2012-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102769034A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 吉贝托·库拉托拉;奥利弗·黑贝伦;詹毛罗·波佐维沃 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明公开了一种常关型高电子迁移率晶体管，包括：第一III-V半导体材料区；在第一区上的第二III-V半导体材料区；在第二区上的第三III-V半导体材料区；以及相邻于第三区的至少一个侧壁的栅电极。第一区提供了晶体管的沟道。第二区具有比第一区带隙宽的带隙，并且引起沟道中的2D电子气（2DEG）。第二区介于第一区和第三区之间。第三区提供了晶体管的栅极，并且具有足以耗尽沟道中2D电子气的厚度，从而使得晶体管具有正阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 常关型高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种常关型晶体管，包括：第一III‑V半导体材料区，提供所述晶体管的沟道；在所述第一区上的第二III‑V半导体材料区，所述第二区具有比所述第一区的带隙宽的带隙，并在所述沟道中引起2D电子气（2DEG）；在所述第二区上的第三III‑V半导体材料区，使得所述第二区介于所述第一区和所述第三区之间，所述第三区提供所述晶体管的栅极，并且具有足以耗尽所述沟道中的2DEG的厚度，从而使得所述晶体管具有正阈值电压；以及栅电极，相邻于所述第三区的至少一个侧壁。
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