[发明专利]一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器有效
| 申请号： | 201210109766.4 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102611392A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张晓林;申晶 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H03D7/12 | 分类号： | H03D7/12 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 赵文利 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器。该混频器包括以下几个部分：一对NMOS管和一对PMOS管组成的跨导级、两对NMOS管组成的开关级以及电阻构成的负载级。该混频器跨导级采用自偏置的互补跨导结构，并与开关级构成折叠结构，大大降低了电源电压；电路中所有的MOS管衬底均加有固定偏置电压，减小了MOS管的阈值电压，实现了超低电压超低功耗的设计；并采用电流复用技术，改善了电路的噪声性能，并提高了其转换增益和线性度。本发明可用于深亚微米射频CMOS集成电路的应用，可广泛应用于航空航天领域的电子系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 衬底 偏置 低耗 电流 混频器 | ||
【主权项】：
一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器，其特征在于，包括自偏置的互补跨导级、与跨导级构成折叠结构的开关级和电阻构成的负载级。
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