[发明专利]一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器

权利要求书

1.一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器，其特征在于，包括自偏置的互补跨导级、与跨导级构成折叠结构的开关级和电阻构成的负载级。

2.根据权利要求1所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器，其特征在于，所述的跨导级包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容和第二电容；

射频差分信号的一路RF+输入到第一PMOS管的栅极，并且RF+还通过第一电容输入到第一NMOS管的栅极；第一NMOS管的源级接地，漏极接第一PMOS管的漏极；第一PMOS管的源级接电源Vdd，漏极通过第一电阻与栅极相连；

射频差分信号的另一路RF-输入到第二PMOS管的栅极，并且RF-还通过第二电容输入到第二NMOS管的栅极；第二NMOS管的源级接地，漏极接第二PMOS管的漏极；第二PMOS管的源级接电源Vdd，漏极通过第二电阻与栅极相连；

偏置电压vrf分别通过第三电阻和第四电阻接第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极。

3.根据权利要求1所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器，其特征在于，所述的开关级包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第五电阻和第六电阻；

第三NMOS管的栅极和第六NMOS管的栅极相连，形成共栅极A，第四NMOS管的栅极和第五NMOS管的栅极相连形成共栅极B，本振差分信号分别为两路LO+和LO-，LO+、LO-分别输入到共栅极A、共栅极B；第三NMOS管的源级和第四NMOS管的源级相连，并连接第一NMOS管的漏极；第五NMOS管的源级和第六NMOS管的源级相连，并连接第二NMOS管的漏极；第三NMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极相连，形成共漏极C，第四NMOS管的漏极和第六NMOS管的漏极相连，形成共漏极D，中频差分信号分别为两路IF+和IF-，IF+、IF-分别从共漏极C、共漏极D输出；

偏置电压vlo分别通过第五电阻、第六电阻接第三NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极。

4.根据权利要求3所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器，其特征在于，所述的第三NMOS管、第四NMOS管组成一对NMOS管，第五NMOS管、第六NMOS管组成一对NMOS管，第五电阻、第六电阻组成一对偏置电阻。

5.根据权利要求1所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器，其特征在于，所述的负载级包括第七电阻和第八电阻；

第七电阻的一端接电源Vdd，另一端接第三NMOS管的漏极；第八电阻的一端接电源Vdd，另一端接第四NMOS管的漏极。

6.根据权利要求1至4任意一个所述的一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器，其特征在于，所述混频器中所有NMOS管，即第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管的衬底端接偏置电压vbiasn，所有PMOS管，即第一PMOS管、第二PMOS管的衬底端接偏置电压vbiasp。

7.根据权利要求1所述一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器，其特征在于：所有混频器中晶体管均为工艺库中的射频NMOS管和射频PMOS管，所有无源器件均为工艺库中的射频电阻和射频电容。