[发明专利]一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法无效
| 申请号： | 201210106104.1 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102605432A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 郭立平;陈济鸿;李铁成;罗凤凤 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22;H01F1/40 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 薛玲 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法，其步骤包括：⑴对Si单晶基体样品进行过渡族金属离子注入；⑵在保护气氛中将上述步骤⑴得到的样品快速热退火；⑶对上述步骤⑵得到的样品进行零族离子注入。其优点是：利用本发明可以获得居里温度（Tc）高于室温的Si基稀磁半导体材料，且该Si基稀磁半导体材料的饱和磁化强度有大幅提升，其饱和磁化强度为单束注入法获得的Si基稀磁半导体的饱和磁化强度的2.5-6倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 饱和磁化强度 si 基稀磁 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：⑴对Si单晶基体样品进行过渡族金属离子注入；⑵在保护气氛中将上述步骤⑴得到的样品快速热退火；⑶对上述步骤⑵得到的样品进行零族离子注入。
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