[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210104370.0 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102623403A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 许哲铭 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种半导体元件及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：(a)提供一半导体晶圆，该半导体晶圆包括数个条切割道；(b)利用一黏胶将该半导体晶圆黏附至一第一载体，其中该黏胶包括数个条黏胶线段，这些黏胶线段对应这些切割道；(c)附着数个上半导体元件至该半导体晶圆上；(d)附着一第二载体；(e)沿着这些切割道切割该半导体晶圆及该第一载体；及(f)移除该第一载体及该第二载体。藉此，可节省制造时间及成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：(a)提供一半导体晶圆及一第一载体，该半导体晶圆包括数个条切割道及数个晶粒，所述切割道定义出所述晶粒；(b)利用一黏胶将该半导体晶圆黏附至该第一载体，其中该黏胶包括数个条黏胶线段以定义出数个容置空间，所述黏胶线段对应所述切割道，且所述容置空间对应所述晶粒；(c)附着数个上半导体元件至该半导体晶圆上，其中所述上半导体元件电性连接至所述晶粒；(d)附着一第二载体于所述上半导体元件；(e)沿着所述切割道切割该半导体晶圆及该第一载体，以分别形成数个晶粒及数个第一载体单体；及(f)移除所述第一载体单体及该第二载体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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