[发明专利]曝光对准方法有效
| 申请号： | 201210101351.2 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103365124A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 黄宜斌;刘畅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种曝光对准方法，包括：将待曝光晶圆分为若干个区域；对所述待曝光晶圆的若干个区域分别进行偏移测量，获得所述待曝光晶圆不同区域对应的校正公式；对所述待曝光晶圆的某个区域内的芯片区域进行曝光时，利用对应的校正公式，调整待曝光晶圆的位置。由于本发明实施例先将所述待曝光晶圆分为若干个区域，然后分别对每一个区域进行偏移测量获得对应的校正公式，使得不同区域都具有相对应的校正公式，当不同区域的晶圆的扭曲程度不同时，不同区域的校正公式也不同，从而使得待曝光晶圆的各个曝光区域都可利用对应的校正公式进行校正，使得待曝光晶圆的各个曝光区域都具有一致且较高的对准精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种曝光对准方法，其特征在于，包括：将待曝光晶圆分为若干个区域，所述待曝光晶圆包括若干个成矩阵排列的芯片区域；对所述待曝光晶圆的若干个区域分别进行偏移测量，获得所述待曝光晶圆不同区域对应的校正公式；对所述待曝光晶圆的某个区域内的芯片区域进行曝光时，利用对应的校正公式，调整待曝光晶圆的位置。
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