[发明专利]有机电致发光显示装置的制造方法无效
申请号: | 201210097660.7 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102738077A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 广木知之;远藤太郎;高谷格;石毛刚一;佐藤信彦 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供包括发光区域的有机电致发光显示装置的制造方法,该发光区域包括其中配置的多个有机化合物层,该有机化合物层的每一个设置在一对电极之间并且至少包括发光层,该方法包括:在整个发光区域中形成在水中不溶的有机化合物层;以预定的图案在该有机化合物层上形成含有水溶性材料的掩模层;将没有被该掩模层覆盖的区域中形成的有机化合物层的一部分除去;将该掩模层除去;干燥该有机化合物层;和在该有机化合物层上形成共同层,其中从干燥该有机化合物层到形成共同层的步骤在真空中进行。 | ||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
有机电致发光显示装置的制造方法,该有机电致发光显示装置包括发光区域,该发光区域包括其中配置的多个有机电致发光元件,该有机电致发光元件的每一个包括第一电极、第二电极和该第一电极和该第二电极之间的有机化合物层,该有机化合物层至少包括发光层,该方法包括:在形成该第一电极的整个发光区域中形成在水中不溶的有机化合物层;以预定的图案在该有机化合物层上形成含有水溶性材料的掩模层;将没有被该掩模层覆盖的区域中形成的有机化合物层的一部分除去;将该掩模层除去;干燥该有机化合物层;和在该有机化合物层上形成跨越该多个有机化合物层的共同层,其中干燥该有机化合物层和形成共同层在真空中进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造