[发明专利]外延衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201210085254.9 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103367553A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种外延衬底的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面形成多个凸起部与多个凹陷，从而形成一图案化的表面；在所述外延生长面设置一碳纳米管层覆盖所述多个凸起部与多个凹陷，所述碳纳米管层对应所述凹陷位置悬空设置；处理所述碳纳米管层，使碳纳米管层的起伏趋势与所述外延生长面的起伏趋势相同。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种外延衬底的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面形成多个凸起部与多个凹陷部，从而形成一图案化的表面；在所述外延生长面设置一碳纳米管层覆盖所述多个凸起部与多个凹陷部，所述碳纳米管层对应所述凹陷部位置悬空设置；处理所述碳纳米管层，使碳纳米管层的起伏趋势与所述外延生长面的起伏趋势相同。
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