[发明专利]对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的装置及方法

摘要

一种对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的装置及方法中，由第一源-测量单元在0≤UD≤U1内调整场效应管的漏极电压UD，并控制漏极电流是否达到特定值；第二源-测量单元向该场效应管施加-U2≤US≤0内可调的源极电压US；第二或第三源-测量单元向该场效应管施加与源极电压US数值相等的栅极电压UG；从而对漏极和源极之间电压需要在0~a范围内调整的场效应管进行测试，其中电压值a=|U1|+|U2|，且a大于等于该场效应管标称的漏源击穿电压。因此，本发明可以使用两个或三个较小电压调节范围的源-测量单元SMU，对漏源击穿电压超过单个源测量单元测量范围的器件进行测量，简化操作，节约成本。

主权项

一种对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的方法，其特征在于，包含：步骤1、设置电压测量范围在0~±U1之间的第一源‑测量单元（SMU1）； 设置电压测量范围在0~±U2之间的第二源‑测量单元（SMU2）；设置电压测量范围在0~±U2之间的第三源‑测量单元（SMU3）；配合使用所述的第一、第二源‑测量单元，或配合使用所述的第一到第三源‑测量单元对场效应管进行漏源击穿电压测试，使得测试时所述场效应管的漏极和源极之间的电压在0 ~ a范围内调整，其中电压值a = |U1| + |U2|，且a大于等于该场效应管标称的漏源击穿电压；步骤2、由所述第二源‑测量单元（SMU2），向所述场效应管的源极施加源极电压US，所述源极电压US的调整范围为 ‑U2 ≤US ≤ 0；由所述第二源‑测量单元（SMU2）或所述第三源‑测量单元（SMU3），向所述场效应管的栅极施加栅极电压UG，并且，使所述栅极电压UG与所述源极电压US的数值相等；步骤3、由所述第一源‑测量单元（SMU1），向所述场效应管的漏极施加一个恒定的、达到特定值的漏极电流ID； 再由所述第一源‑测量单元（SMU1）测量此时所述场效应管的漏极电压UD；所测得的漏极电压UD在0 ≤UD ≤U1的范围内；步骤4、计算测得的所述漏极电压UD，与给出的源极电压US的差值，即UDS=UD‑US，得到所述场效应管实际的漏源击穿电压。