[发明专利]一种P型掺杂ZnSxSe1-x纳米材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210077076.5 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102602984A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王莉;赵兴志;王祥安;卢敏;罗林宝;揭建胜;李强;朱志峰;张彦;胡继刚 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C01G9/08 | 分类号： | C01G9/08;C01G19/04;C01G19/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型掺杂ZnSxSe1-x纳米材料及其制备方法，其中P型掺杂的掺杂源选自AgS、CuS、NH3、PH3中的一种或几种。本发明采用化学气相沉积法，利用气-液-固生长机制合成P型掺杂ZnSxSe1-x纳米材料，通过调节原料ZnSe与ZnS的比例，可以得到不同组分的ZnSxSe1-x纳米材料；通过调节掺杂量，可以调节制备得到的纳米材料的电导率，从而实现了P型掺杂ZnSxSe1-x纳米材料的成分可控、电导率可调的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 zns sub se 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种P型掺杂ZnSxSe1‑x纳米材料，其特征在于：0＜x＜1；P型掺杂的掺杂源选自Ag2S、CuS、NH3、PH3中的一种或几种。
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