[发明专利]半导体发光装置的晶片和用于制造半导体发光装置的方法无效
| 申请号： | 201210070860.3 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102683558A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 中具道 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L25/075;H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光装置的晶片和用于制造半导体发光装置的方法。根据一个实施例，一种半导体发光装置的晶片包括多个半导体发光装置并且包括发光单元和波长转换单元，所述多个半导体发光装置共同形成。所述发光单元具有第一主表面和在与所述第一主表面的相对侧上的第二主表面。所述波长转换单元设置在第一主表面侧上。所述波长转换单元包含荧光剂。所述波长转换单元的厚度根据从所述多个半导体发光装置的所述发光单元发射的光的波长和强度中选择的至少一种在所述晶片的表面上的分布而改变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 晶片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置的晶片，所述晶片包括多个半导体发光装置，所述多个半导体发光装置共同形成，所述晶片包括：发光单元，所述发光单元具有第一主表面和在与所述第一主表面的相对侧上的第二主表面；以及波长转换单元，所述波长转换单元设置在第一主表面侧上，所述波长转换单元包含荧光剂，所述波长转换单元的厚度根据从所述多个半导体发光装置的所述发光单元发射的光的波长和强度中选择的至少一种在所述晶片的表面上的分布而改变。
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