[发明专利]快恢复二极管及制作该二极管的方法有效
| 申请号： | 201210066150.3 | 申请日： | 2012-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103311278A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 贾会霞 | 申请（专利权）人： | 深圳市立德电控科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层的掺杂浓度。上述快恢复二极管可在反向恢复时能够提供足够的载流子浓度，从而得以维持电流下降的软度。本发明还提供了一种快恢复二极管的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层的掺杂浓度。
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