[发明专利]PN结构的掺杂方法有效
| 申请号： | 201210064107.3 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103311093A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈炯;陈维;洪俊华 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 薛琦;王婧荷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种PN结构的掺杂方法，其包括：步骤S1、通过离子注入的方式将掺杂离子注入至一基底的表面中和/或背面中得到一PN结构；步骤S2、使用一第一洗液清洗该PN结构，该第一洗液用于去除溅射至该基底的表面上、背面上或侧面上的掺杂离子形成的掺杂杂质；步骤S3、对经过清洗的该PN结构进行退火处理。在本发明在离子注入后和退火激活工艺之前，增加一道非常简单、成本低廉的清洗工序，去除了意外溅射至该基底各个表面上的掺杂杂质，保证了该PN结构的性能，避免了边结漏电的引入。 | ||
| 搜索关键词： | pn 结构 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种PN结构的掺杂方法，其特征在于，其包括：步骤S1、通过离子注入的方式将掺杂离子注入至一基底的表面中和/或背面中得到一PN结构；步骤S2、使用一第一洗液清洗该PN结构，该第一洗液用于去除溅射至该基底的表面上、背面上或侧面上的掺杂离子形成的杂质；步骤S3、对经过清洗的该PN结构进行退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海凯世通半导体有限公司，未经上海凯世通半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210064107.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
