[发明专利]PN结构的掺杂方法

权利要求书

1.一种PN结构的掺杂方法，其特征在于，其包括：

步骤S₁、通过离子注入的方式将掺杂离子注入至一基底的表面中和/或背面中得到一PN结构；

步骤S₂、使用一第一洗液清洗该PN结构，该第一洗液用于去除溅射至该基底的表面上、背面上或侧面上的掺杂离子形成的杂质；

步骤S₃、对经过清洗的该PN结构进行退火处理。

2.如权利要求1所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该第一洗液还用于去除溅射至该基底的表面上、背面上或侧面上的金属杂质。

3.如权利要求1所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该第一洗液为碱性溶液、双氧水和去离子水的混合溶液。

4.如权利要求3所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该碱性溶液为弱碱性溶液。

5.如权利要求4所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该弱碱性溶液为氢氧化氨溶液。

6.如权利要求5所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该氢氧化铵溶液、该双氧水以及去离子水的体积比为1∶1∶2～1∶2∶10，其中，该氢氧化铵溶液的浓度为28-32％，该双氧水的浓度为30-32％，去离子水的电阻率不低于15MΩ，其中百分号表示质量百分比。

7.如权利要求4所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该弱碱性溶液为有机弱碱溶液。

8.如权利要求7所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该有机弱碱溶液为四甲基氢氧化铵溶液。

9.如权利要求8所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该四甲基氢氧化铵溶液、该双氧水以及去离子水的体积比为1∶1∶2～1∶2∶10，其中，该四甲基氢氧化铵溶液的摩尔浓度等同于质量百分比浓度为28-32％的氢氧化铵溶液的摩尔浓度，该双氧水的浓度为30-32％，去离子水的电阻率不低于15MΩ，其中百分号表示质量百分比。

10.如权利要求3所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该碱性溶液为强碱性溶液。

11.如权利要求10所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该强碱性溶液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。

12.如权利要求11所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该氢氧化钠溶液、该双氧水以及该去离子水的体积比为1∶1∶5-1∶2∶30，其中该氢氧化钠溶液的浓度为10％，该双氧水的浓度为30-32％，该去离子水的电阻率不低于15MΩ，或者，

该氢氧化钾溶液、该双氧水以及该去离子水的体积比为1∶1∶5-1∶2∶30，其中该氢氧化钾溶液的浓度为10％，该双氧水的浓度为30-32％，该去离子水的电阻率不低于15MΩ，

其中百分号表示质量百分比。

13.如权利要求1-12中任意一项所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，步骤S₂中还包括：使用第二洗液清洗该PN结构，该第二洗液用于去除该基底的表面上、背面上或侧面上的氧化层。

14.如权利要求13所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该第二洗液为氢氟酸。

15.如权利要求14所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，该氢氟酸的浓度为0.5-5％，其中百分号表示质量百分比。

16.如权利要求1-12中任意一项所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，步骤S₂中采用该第一洗液清洗该PN结构的温度为40℃～80℃，和/或，步骤S₂中采用该第一洗液清洗该PN结构的时间为1分钟～15分钟，和/或，步骤S₂中采用第二洗液清洗该PN结构的温度为室温，时间为1分钟～10分钟。

17.如权利要求1-12中任意一项所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，步骤S₁中的该掺杂离子为P型离子和/或N型离子，和/或，步骤S₁中掺杂离子的能量为500eV～50keV。

18.如权利要求1-12中任意一项所述的PN结构的掺杂方法，其特征在于，步骤S₃中的退火处理条件为：温度为700℃～1100℃，时间为5分钟～60分钟。