[发明专利]激光二极管元件组件及其驱动方法有效
| 申请号： | 201210062338.0 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102684067A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 大木智之;仓本大;幸田伦太郎;渡边秀辉;横山弘之 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/065;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及激光二极管元件组件及其驱动方法。一种激光二极管元件组件包括：激光二极管元件；以及光反射器，其中，激光二极管元件包括(a)层压结构体，所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层，以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成，第二导电型与第一导电型不同，(b)第二电极，形成在第二化合物半导体层上，(c)第一电极，电连接至第一化合物半导体层，层压结构体包括脊条形结构，脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1＜Wmax/Wmin＜3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 元件 组件 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种激光二极管元件组件，包括：激光二极管元件；以及光反射器，其中，所述激光二极管元件包括：(a)层压结构体，所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层，以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成，所述第二导电型与所述第一导电型不同，(b)第二电极，形成在所述第二化合物半导体层上，以及(c)第一电极，电连接至所述第一化合物半导体层，所述层压结构体包括脊条形结构，激光从所述脊条形结构的第一端面发出，所述激光的一部分被所述光反射器反射返回至所述激光二极管元件，而所述激光的其余部分通过所述光反射器向外界出射，所述激光被所述脊条形结构的第二端面反射，所述脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1＜Wmax/Wmin＜3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。
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