[发明专利]沟槽式MOS静电释放结构以及集成电路在审
| 申请号： | 201210061973.7 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102593125A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 楼颖颖;吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽式MOS静电释放结构以及集成电路。根据本发明的沟槽式MOS静电释放结构包括布置在沟槽式MOS有源区上的电介质层上的二极管阵列，所述二极管阵列的两端分别连接至沟槽式MOS的源极和栅极；其中在所述电介质层和所述沟槽式MOS有源区之间插入了一个氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 静电 释放 结构 以及 集成电路 | ||
【主权项】：
一种沟槽式MOS静电释放结构，其特征在于包括布置在沟槽式MOS有源区上的电介质层上的二极管阵列，所述二极管阵列的两端分别连接至沟槽式MOS的源极和栅极；其中在所述电介质层和所述沟槽式MOS有源区之间插入了一个氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
