[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制造方法。第一半导体层配置于基底上且具有通道区与位于通道区两侧的两个掺杂区。第一介电层配置于基底上且覆盖第一半导体层。栅极配置于第一介电层上，其中栅极对应第一半导体层的通道区。第二介电层配置于第一介电层上且覆盖栅极。第二半导体层配置于第二介电层上且对应栅极。第二半导体层的边界不超出栅极的边界。至少一第一导电插塞贯穿第一介电层与第二介电层并与第一半导体层的掺杂区其中一者接触。至少一接点与第二半导体层接触。另提出半导体元件的制造方法。

主权项

一种半导体元件，包括：基底，具有第一区及第二区；第一半导体层，配置于所述第一区的所述基底上且具有一通道区与位于所述通道区两侧的两个掺杂区；第一介电层，配置于所述第一区及所述第二区的所述基底上，且覆盖所述第一半导体层；第一栅极及第二栅极，分别配置于所述第一区及所述第二区的所述第一介电层上，其中所述第一栅极对应所述第一半导体层的所述通道区；第二介电层，配置于所述第一区及所述第二区的所述第一介电层上，且覆盖所述第一栅极及所述第二栅极；第二半导体层，配置于所述第二介电层上且对应所述第二栅极，其中所述第二半导体层的边界不超出所述第二栅极的边界；两个第一导电插塞，贯穿所述第一介电层与所述第二介电层，配置于所述第一栅极的两侧并分别与所述第一半导体层的所述掺杂区接触；以及两个接点，位于所述第二区上并与所述第二半导体层接触。