[发明专利]半导体发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210056382.0 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102569571A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李文兵;王江波;董彬忠;杨春艳 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 430223 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域。所述半导体发光二极管包括：依次层叠在衬底上的N型氮化镓层、量子阱结构层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述电子阻挡层包括至少一个第一铝镓氮层和至少一个第二铝镓氮层，所述第一铝镓氮层和第二铝镓氮层交替层叠布置，相邻的第一铝镓氮层和第二铝镓氮层的铝组分不同。所述方法包括：在衬底上依次生长N型氮化镓层、量子阱结构层、电子阻挡层和P型氮化镓层。本发明实施例通过能带工程，优化和设计电子阻挡层中铝组分的变化，可以在实现对溢出电子的阻挡的同时，提高空穴的注入效率，从而提高发光二极管的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光二极管，包括：依次层叠在衬底上的N型氮化镓层、量子阱结构层、电子阻挡层和P型氮化镓层，其特征在于，所述电子阻挡层包括至少一个第一铝镓氮层和至少一个第二铝镓氮层，所述第一铝镓氮层和第二铝镓氮层交替层叠布置，相邻的第一铝镓氮层和第二铝镓氮层的铝组分不同。
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