[发明专利]通过覆盖STI区域的高介电常数金属栅极超整合有效
| 申请号： | 201210048312.0 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102683261A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | T·斯戈普;P·巴阿斯;S·拜尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司;格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/28;H01L21/8238;H01L29/423;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种通过覆盖STI区域的高介电常数金属栅极超整合，当在前制造阶段中形成高介电常数金属栅极电极结构时，通过减少隔离区域的表面形态来改善封装完整性与敏感栅极材料的完整性。为了达到这个目的，提供超蚀刻阻性的介电覆盖层结合习知的二氧化硅材料。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 覆盖 sti 区域 介电常数 金属 栅极 整合 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在半导体装置的半导体层中，使用第一介电材料形成沟渠隔离区域，所述沟渠隔离区域侧向刻画所述半导体层中的主动区域；在所述第一介电材料上，使用第二介电材料形成覆盖层，所述第一与第二介电材料具有不同的材料组成；以及在所述主动区域与包含所述覆盖层的所述沟渠隔离区域上，形成栅极电极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
