[发明专利]利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210047240.8 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103296168A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 王怀兵;王辉;黄强 | 申请（专利权）人： | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/06;H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陆明耀;陈忠辉 |
| 地址： | 215125 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点发光电器件外延片，包括一具有原子台阶的衬底，所述衬底上生长有N型层，所述N型层与所述衬底具有相同的原子台阶，所述N型层上方生长形成有源区，所述有源区上设置有P型层，所述原子台阶为规则递增型台阶。所述斜切角大于0.05°小于10°；本发明通过衬底表面的原子台阶控制量子点的分布，而应用原子台阶形成的斜切角角度变化，可制备出不同宽度和密度的InGaN量子点有源区，以适应更多的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 原子 台阶 衬底 制备 ingan 量子 外延 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点外延片，其特征在于：包括一具有原子台阶的衬底，所述衬底上生长有N型层，所述N型层与所述衬底具有相同的原子台阶，所述N型层上方生长形成有源区，所述有源区上设置有P型层，所述原子台阶为规则递增型台阶，所述衬底上原子台阶形成的斜切角大于0.05°小于10°。
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