[发明专利]带有具有压缩应力的保形沉积导电层的深沟槽电容器有效
| 申请号： | 201210037422.7 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102709311B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 田磊;斯科特·威尔逊·巴里;应学军 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及带有具有压缩应力的保形沉积导电层的深沟槽电容器。提供一种高密度深沟槽MIM电容器结构，其中例如Poly‑SixGe1‑x的半导体材料的导电‑压缩‑保形施加的层穿插在MIM电容器层内以抗衡由此类MIM电容器层形成的抗拉应力。导电‑压缩‑保形施加的材料层的所述穿插适于在高密度深沟槽MIM电容器硅装置的制造过程期间抗衡硅晶片的凸状(向上)弯曲以借此帮助最大化每晶片此类装置的生产合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 具有 压缩 应力 沉积 导电 深沟 电容器 | ||
【主权项】：
一种硅芯片，其包括：沟槽式MIM电容器，所述沟槽式MIM电容器包括：硅衬底层，其具有底部侧及顶部侧，所述顶部侧的一部分界定多个沟槽；第一MIM电容器堆叠，其覆盖所述顶部侧的所述部分；第一导电压缩材料层，其覆盖所述第一MIM电容器堆叠；第二MIM电容器堆叠，其覆盖所述第一导电压缩材料层的至少一部分；及第二导电压缩材料层，其覆盖所述第二MIM电容器堆叠。
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