[发明专利]沉积铝层的方法有效
| 申请号： | 201210035053.8 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102646577B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | R·辛德曼;S·伯吉斯 | 申请（专利权）人： | SPTS技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种沉积铝层的方法。特别地，本发明涉及在薄基材上沉积铝层或铝膜。本发明包括将基材放置在支撑体上；将第一铝层沉积到基材上，该基材处于未固定条件；将基材固定到支撑体上，并且沉积与第一层连续的第二铝层，其中第二层比第一层厚，并且在小于22℃的基材温度下沉积第二层。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种在厚度<250μm的薄基材上沉积铝膜的方法，其包括：(a)将基材放置在支撑体上；(b)将第一铝层沉积到基材上，该基材处于未固定条件；(c)将基材固定到支撑体上，并且沉积与第一层连续的第二铝层，其中第二层比第一层厚，并且在<22℃的基材温度下沉积第二层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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