[发明专利]用于沉积Ⅲ/Ⅴ族化合物的方法有效
| 申请号： | 201210028187.7 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102560633A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 奥尔加·克里莱克;桑迪普·尼杰霍安;尤里·梅尔尼克;洛里·D·华盛顿;雅各布·W·格雷森;圣·W·权;苏杰 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C23C16/34;C23C16/448;C23C16/455;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施方式主要涉及用于通过氢化物气相外延(HVPE)工艺形成III-V族材料的方法。在一个实施方式中，提供了一种用于在处理室中基板上形成氮化镓材料的方法，其包括：加热金属源以形成加热的金属源；其中加热的金属源含有镓、铝、铟、其合金或它们的组合物，将加热的金属源暴露到氯气同时形成金属氯化物气体，在HVPE工艺期间将基板暴露到金属氯化物气体和氮前体气体同时在基板上形成金属氮化物层。该方法还提供了在形成金属氮化物层之前的预处理工艺期间将基板暴露到氯气。在一个实例中，在预处理工艺期间将处理室的排气管道加热到约200℃以下。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 化合物 方法 | ||
【主权项】：
一种在基板上形成氮化镓材料的方法，包括：在预处理工艺期间，将处理室内的基板暴露于预处理气体，所述预处理气体包括含氯气体；加热固态金属镓源以形成液态金属镓源；将液态金属镓源暴露到含氯气体以形成氯化镓气体；和在氢化物气相外延工艺或金属有机化学汽相沉积工艺期间，将所述基板暴露到氯化镓气体和含氮前体气体中同时在基板上形成氮化镓层。
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