[发明专利]石墨烯场效应晶体管无效
| 申请号： | 201210024552.7 | 申请日： | 2012-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103247689A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李德杰 | 申请（专利权）人： | 李德杰 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12;H01L29/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 石墨烯隧效应晶体管，属于电子技术和石墨烯技术领域。基本结构包括栅极、源极、漏极、绝缘层和有源层。有源层由经过钝化处理的具有绝缘体或半导体特性的单层或多层石墨烯和其它半导体材料复合而成。本发明成功的解决了已有石墨烯场效应管的致命弱点，而且有超过常规半导体场效应管的高性能。本发明可促进石墨烯在电子技术领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
石墨烯场效应晶体管，基本结构包括栅极、源极、漏极、绝缘层和有源层，其特征在于，所述的有源层由经过钝化处理后具有绝缘体或半导体特性的石墨烯和其它半导体材料复合而成，石墨烯的主要功能是在绝缘层表面与石墨烯之间形成高迁移率沟道，而其它半导体材料的功能与在普通半导体场效应管中相似；施加栅压时，载流子穿过石墨烯层，在石墨烯与绝缘层之间形成导电沟道；绝缘层和石墨烯层的设置保证两层之间周期性势场很弱，即绝缘层表面基本没有悬挂键，石墨烯表面基本没有共价键，导致载流子在该导电沟道中具有高迁移率。
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