[发明专利]形成掺杂相变材料的复合靶溅射有效
| 申请号： | 201210021915.1 | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102629661A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 郑怀瑜;陈介方;龙翔澜;施彦豪;西蒙·拉梧;马修·J·布雷杜斯克 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了是有关于以包括硫族化物材料的相变材料为基础的用于存储器装置的制造方法，以及使用于这类装置的用于形成掺杂硫族化物材料的方法。溅射靶材具有硅或另一半导体，或以硅为基础或其它以半导体为基础的添加物的相变材料层，使用包括硅或其它半导体以及相变材料的复合溅射靶材而形成。硅或其它半导体的浓度高于所形成的层中的硅或其它半导体的特定浓度5倍以上。对于在锗锑碲型相变材料中的以硅为基础的添加物，溅射靶材可包括超过40原子百分比的硅。以硅为基础的或其它以半导体为基础的添加物在沉积期间，在溅射腔室可使用复合溅射靶材及例如氧气或氮气的反应性气体气流而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 掺杂 相变 材料 复合 溅射 | ||
【主权项】：
一种用于形成一存储器单元的方法，包括：在一衬底上形成一底部电极结构；使用一包含至少30原子百分比的硅以及二种以上相变材料元素的溅射靶材；在该底部电极上通过溅射来形成具有硅或以硅为基础的添加物的一相变存储器材料层；以及在该存储器材料层上形成一顶部电极。
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