[发明专利]用于嵌入一个或多个电子构件的封装的制造方法有效
申请号: | 201210020793.4 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102610577A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 托马斯·梅尔克;斯特凡·科赫;崔俊允 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L21/48;H01L23/538;H01L23/31 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于嵌入一个或多个电子构件的封装的制造方法,与在mm-波和THz频率下工作的集成电子系统领域相关。提出了单体多芯片封装、用于这封装的载体结构以及用于制造该封装和该载体结构的方法,以获得完全屏蔽mm-波/THz系统的不同功能的封装。通过对光敏单体进行聚合反应来将该封装倾注到合适的位置。它在MMIC(单体微波集成电路)周围和上方逐渐生长以与MMIC接触,但是却使该芯片的高频区域凹入。所提出的方法会导致彻底屏蔽电磁的功能性块。根据系统需求,可以结合并串联这些单元。 | ||
搜索关键词: | 用于 嵌入 一个 电子 构件 封装 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造用于嵌入一个或多个电子构件,尤其是微波集成电路和离散无源构件的封装(70)的载体结构(40)的方法,所述方法包括以下步骤:形成背侧金属化层(41),在所述背侧金属化层顶部的层中通过光聚合反应依次形成两个或多个聚合物层来形成聚合物轮廓(42),其中在所述聚合物轮廓中形成一个或多个腔(43、44),用以将一个或多个电子构件(50、60)放置在其中,所述电子构件具有背侧端子(51、61)和一个或多个前侧端子(52、62),在所述聚合物轮廓(42)顶部形成前侧金属化层(46)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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