[发明专利]用于嵌入一个或多个电子构件的封装的制造方法

权利要求书

1.一种制造用于嵌入一个或多个电子构件，尤其是微波集成电路和离散无源构件的封装(70)的载体结构(40)的方法，所述方法包括以下步骤：

形成背侧金属化层(41)，

在所述背侧金属化层顶部的层中通过光聚合反应依次形成两个或多个聚合物层来形成聚合物轮廓(42)，其中在所述聚合物轮廓中形成一个或多个腔(43、44)，用以将一个或多个电子构件(50、60)放置在其中，所述电子构件具有背侧端子(51、61)和一个或多个前侧端子(52、62)，

在所述聚合物轮廓(42)顶部形成前侧金属化层(46)。

2.根据权利要求1所述的制造方法，

其中所述聚合物轮廓(42)被形成为使得在单个腔或一组腔周围形成无聚合物沟槽(45)，使得当在所述聚合物轮廓(42)顶部形成所述前侧金属化层(46)时，所述前侧金属化层(46)与所述背侧金属化层(41)接触。

3.根据权利要求2所述的制造方法，

其中在单个腔或一组腔周围至少形成无聚合物沟槽(45)，其中所述腔被设置为嵌入微波集成电路。

4.根据以上权利要求任一项所述的制造方法，

其中控制所述聚合物轮廓(42)的成形，使得相应腔(43、44)的深度适于嵌入到其中的相应电子构件(50、60)的厚度，使得一经嵌入到相应腔中的所述电子构件的顶面与所述被嵌入电子构件周围的所述前侧金属化层的顶面处于同一水平。

5.根据以上权利要求任一项所述的制造方法，

还包括在所述聚合物轮廓(42)中形成一个或多个隔室(45’)的步骤，所述隔室(45’)尤其不包括或包括较少的聚合物，和/或不包括前侧金属化层，用以形成电子构件，尤其是滤波器、天线、界面和/或过渡。

6.根据权利要求5所述的制造方法，

其中所述聚合物轮廓(42)被形成为使得在隔室(45’)周围形成无聚合物沟槽(45)，使得当在所述聚合物轮廓(42)顶部形成所述前侧金属化层(46)时，所述前侧金属化层(46)与所述背侧金属化层(41)接触。

7.根据权利要求6所述的制造方法，

其中形成在所述沟槽(45)中的所述前侧金属化层(46)与所述背侧金属化层(41)接触，其中在所述沟槽(45)中形成一个或多个间断。

8.根据以上权利要求任一项所述的制造方法，

其中所述聚合物轮廓(42)被形成为使得在一个或多个腔(43)的下部形成一个或多个无聚合物导热沟槽(95)，使得当在所述聚合物轮廓(42)顶部形成所述前侧金属化层(46)时，所述前侧金属化层(46)与所述背侧金属化层(41)接触，以及

还包括利用导热材料，尤其是环氧树脂或焊料填充所述导热沟槽(95)的步骤。

9.根据权利要求1至7任一项所述的制造方法，

其中所述聚合物轮廓(42)被形成为使得在一个或多个腔(43)的中部形成导热腔(97)，所述导热腔具有比相邻腔小的宽度，其中所述导热腔被形成为使得当在所述聚合物轮廓(42)顶部形成所述前侧金属化层(46)时，所述前侧金属化层(46)与所述背侧金属化层(41)接触，以及

还包括将导热元件(98)，尤其是金属块放置在所述导热腔(97)中的步骤，所述导热元件(98)具有使得一经嵌入到所述腔(43)中的所述电子构件(50)的底面与前侧金属化层(46a)接触并与所述导热元件(98)的顶面接触的高度，其中所述前侧金属化层(46a)形成在所述导热腔(97)周围的所述腔(43)底部上的所述聚合物轮廓(42)的顶部。

10.一种用于嵌入一个或多个电子构件，尤其是微波集成电路和离散无源构件的封装(70)的载体结构(40)，所述载体结构(40)包括：

背侧金属化层(41)，

聚合物轮廓(42)，通过光聚合反应依次形成两个或多个聚合物层而在所述背侧金属化层顶部的层中形成所述聚合物轮廓(42)，所述聚合物轮廓包括一个或多个腔(43、44)，用以将一个或多个电子构件(50、60)放置在其中，所述电子构件具有背侧端子(51、61)和一个或多个前侧端子(52、62)，

位于所述聚合物轮廓(42)顶部的前侧金属化层(46)。