[发明专利]SONOS结构制造方法以及SONOS结构有效
| 申请号： | 201210009215.0 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102709168A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 田志;谢欣云 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L29/792;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SONOS结构制造方法以及SONOS结构。根据本发明的SONOS结构制造方法包括：在衬底上制备隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备富硅的氮化硅层，富硅的氮化硅层的Si/N比是恒定的；在富硅的氮化硅层上制备硅含量渐变的氮化硅层；以及在硅含量渐变的氮化硅层上制备阻挡氧化层；其中，硅含量渐变的氮化硅层在从所述富硅的氮化硅层到所述阻挡氧化层的方向上硅含量渐少。通过改进SONOS结构中的氮化硅层结构，形成一层富硅的氮化硅层和渐变氮化硅层；由于富硅的氮化硅层中有更多的浅陷阱能级，有利于捕获电荷，增加编译和擦除的速度。并且，这些电荷被限制在Si/N渐变的氮化硅层中富氮的氮化硅层中较深的陷阱能级能够增加电荷的保留时间，使器件的可靠性增加。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 结构 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种SONOS结构制造方法，其特征在于包括：在衬底上制备隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上制备富硅的氮化硅层，所述富硅的氮化硅层的Si/N比是恒定的；在所述富硅的氮化硅层上制备硅含量渐变的氮化硅层；以及在所述硅含量渐变的氮化硅层上制备阻挡氧化层；其中，所述硅含量渐变的氮化硅层在从所述富硅的氮化硅层到所述阻挡氧化层的方向上硅含量渐少。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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