[发明专利]单个位置霍尔效应测量

摘要

一种通过包括四个接触元件的多点探针来确定试验样品上的第一位置和电气边界(34)之间的距离(Y)的方法，包括：在第一位置用四个接触元件(20，22，24，26)接触试验样品，在第一位置施加磁场，进行第一和第二四点测量并得出第一和第二电阻值，由第一和第二电阻值计算第一电阻差，进行第三和第四四点测量并得出第三和第四电阻差，由第三和第四电阻值计算第二电阻差，定义包括代表第一电阻差、第二电阻差、以及第一位置和电气边界之间的距离的参数的第一关系式，在第一关系式中通过第一和第二电阻差确定该距离。

主权项

一种通过多点探针来确定试验样品的导电表面部分上的第一位置和所述导电表面部分的电气边界之间的距离的方法，该多点探针包括第一接触元件、第二接触元件、第三接触元件和第四接触元件，每个接触元件限定用于建立与所述试验样品的电气接触的接触点，所述方法包括：(i.i)在所述导电表面部分上的所述第一位置，用所述第一接触元件、所述第二接触元件、所述第三接触元件和所述第四接触元件接触所述试验样品；(i.ii)在所述第一位置施加具有垂直于所述导电表面部分的主要场分量的磁场；(i.iii)在所述第一位置横跨所述第一和第三接触元件施加第一电势，用来在所述表面部分中产生第一电流；(i.iv)测量通过所述第一或所述第三接触元件的所述第一电流；(i.v)测量横跨所述第二和第四接触元件的第一电压；(i.vi)基于所述第一电流和所述第一电压，计算第一电阻值(RB)；(i.vii)在所述第一位置横跨所述第二和第四接触元件施加第二电势，用来在所述表面部分中产生第二电流；(i.viii)测量通过所述第二或所述第四接触元件的所述第二电流；(i.ix)测量横跨所述第一和第三接触元件的第二电压；(i.x)基于所述第二电流和所述第二电压，计算第二电阻值(RB’)；(i.xi)基于所述第一电阻值和所述第二电阻值之间的差，计算第一电阻差(ΔRBB’)；(i.xii)在所述第一位置横跨所述第一和第二接触元件施加第三电势，用来在所述表面部分中产生第三电流；(i.xiii)测量通过所述第一或所述第二接触元件的所述第三电流；(i.xiv)测量横跨所述第三和第四接触元件的第三电压；(i.xv)基于所述第三电流和所述第三电压，计算第三电阻值(RC)；(i.xvi)在所述第一位置横跨所述第三和第四接触元件施加第四电势，用来在所述表面部分中产生第四电流；(i.xvii)测量通过所述第三或所述第四接触元件的所述第四电流；(i.xviii)测量横跨所述第一和第二接触元件的第四电压；(i.xix)基于所述第四电流和所述第四电压，计算第四电阻值(RC’)；和(i.xx)基于所述第三电阻值和所述第四电阻值之间的差，计算第二电阻差(ΔRCC’)；和(i.xxi)定义包含分别表示所述第一电阻差、所述第二电阻差、以及所述第一位置和所述电气边界之间的所述距离的第一、第二和第三参数的第一关系式(f)，和(i.xxii)分别使用所述第一和第二电阻差(ΔRBB’，ΔRCC’，ΔRBB’，2)作为所述第一关系式中的所述第一和第二参数，用来确定表示所述第一位置和所述电气边界之间的所述距离(y)的所述第三参数。