[发明专利]形成掺杂剂分布图的方法有效
| 申请号： | 201180052076.3 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103262217A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | G.布伦丁;J.霍策尔;A.拉霍维奇;B.舒姆 | 申请（专利权）人： | 肖特太阳能股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;林森 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及使用磷作为掺杂剂形成从片状的半导体器件的表面开始的掺杂剂分布图的方法，该方法是通过将磷掺杂剂源施加到表面上，利用表面上存在的掺杂剂源形成第一掺杂剂分布图，除去掺杂剂源，和形成与第一掺杂剂分布图相比具有更大深度的第二掺杂剂分布图。为了形成优化的掺杂剂分布图，在形成第一掺杂剂分布图之后，除去掺杂剂源和除去选择性地在表面上或表面中由SixPy相和SixPyOz相结晶的沉淀物。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 掺杂 分布图 方法 | ||
【主权项】：
使用磷作为掺杂剂形成从板状或片状的硅基半导体器件的表面开始的掺杂剂分布图的方法，该方法是通过将磷掺杂剂源施加到表面上，利用表面上存在的掺杂剂源形成第一掺杂剂分布图，除去掺杂剂源和形成与第一掺杂剂分布图相比具有更大深度的第二掺杂剂分布图，其特征在于：在形成第一掺杂剂分布图之后，除去掺杂剂源和选择性地除去表面上存在的SixPy相和/或SixPyOz相。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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