[实用新型]TFT像素单元有效

专利信息
申请号: 201120286123.8 申请日: 2011-08-08
公开(公告)号: CN202167491U 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 康志聪 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/08;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 欧阳启明
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开一种TFT像素单元,其包含扫描线、第一绝缘层、资料线、源极段、半导体层、漏极段及像素电极。所述第一绝缘层设于扫描线上并包覆其内侧面。资料线与扫描线彼此绝缘交错而共同定义一像素区。漏极段自资料线一侧延伸出而配置于第一绝缘层上。半导体层设置于漏极段的顶面。源极段设置于所述半导体层的顶面。漏极段、半导体层与源极段邻近扫描线的内侧面。像素电极设置像素区内并连接源极段。所述资料线、漏极段、半导体层与源极段构成一纵向堆叠结构的TFT开关,减少了开口率的损失。
搜索关键词: tft 像素 单元
【主权项】:
一种TFT像素单元,其特征在于:所述TFT像素单元包含:一扫描线,具有一内侧面;一第一绝缘层,设于所述扫描线上并包覆所述内侧面;一资料线,与所述扫描线彼此绝缘交错而共同定义一像素区;一漏极段,自所述资料线一侧延伸出而配置于第一绝缘层上;一半导体层,设置于所述源极段的顶面;一源极段,设置于所述半导体层的顶面,所述漏极段、半导体层与所述源极段邻近所述扫描线的内侧面;以及一像素电极,设置所述像素区内并连接所述源极段。
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