[实用新型]TFT像素单元有效
申请号: | 201120286123.8 | 申请日: | 2011-08-08 |
公开(公告)号: | CN202167491U | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 康志聪 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/08;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 欧阳启明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开一种TFT像素单元,其包含扫描线、第一绝缘层、资料线、源极段、半导体层、漏极段及像素电极。所述第一绝缘层设于扫描线上并包覆其内侧面。资料线与扫描线彼此绝缘交错而共同定义一像素区。漏极段自资料线一侧延伸出而配置于第一绝缘层上。半导体层设置于漏极段的顶面。源极段设置于所述半导体层的顶面。漏极段、半导体层与源极段邻近扫描线的内侧面。像素电极设置像素区内并连接源极段。所述资料线、漏极段、半导体层与源极段构成一纵向堆叠结构的TFT开关,减少了开口率的损失。 | ||
搜索关键词: | tft 像素 单元 | ||
【主权项】:
一种TFT像素单元,其特征在于:所述TFT像素单元包含:一扫描线,具有一内侧面;一第一绝缘层,设于所述扫描线上并包覆所述内侧面;一资料线,与所述扫描线彼此绝缘交错而共同定义一像素区;一漏极段,自所述资料线一侧延伸出而配置于第一绝缘层上;一半导体层,设置于所述源极段的顶面;一源极段,设置于所述半导体层的顶面,所述漏极段、半导体层与所述源极段邻近所述扫描线的内侧面;以及一像素电极,设置所述像素区内并连接所述源极段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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