[发明专利]一种半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110453891.2 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187498A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈飞 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/18;H01L33/32;H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的第一类型氮化物层；形成在第一类型氮化物层之上的量子点结构，其中，量子点结构包括闪锌矿InxGa(1-x)N量子点，其中，0≤x≤1；以及形成在量子点结构之上的第二类型氮化物层。该半导体结构包括闪锌矿氮化物量子点结构，消除了极化效应，提高了量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；形成在所述缓冲层之上的第一类型氮化物层；形成在所述第一类型氮化物层之上的量子点结构，其中，所量子点结构包括闪锌矿InxGa(1‑x)N量子点，其中，0≤x≤1；以及形成在所述量子点结构之上的第二类型氮化物层。
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