[发明专利]一种减少晶片背面生成聚合物的聚焦环有效
| 申请号： | 201110448622.7 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187232A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 吴紫阳;邱达燕 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少晶片背面生成聚合物的聚焦环，所述聚焦环包括内圈环和外圈环，所述内圈环的表面为耐等离子体腐蚀的金属氧化物，保证了晶片背面形成的聚合物不含硅，容易清洁，同时，只在内圈环采用金属氧化物材料，使得金属氧化物材料不会与等离子直接接触，保证了在等离子体轰击下，等离子体处理室中不会有金属氧化物颗粒污染情况出现。本发明所述的聚焦环主体既可采用半导体材料也可采用绝缘材料，结构简单，能明显减少晶片背面生成聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 晶片 背面 生成 聚合物 聚焦 | ||
【主权项】：
一种减少晶片背面生成聚合物的聚焦环，其围绕设置于一等离子体刻蚀室中的晶片和支撑所述晶片的基座的外周侧，所述聚焦环包括一内圈环和一外圈环，所述内圈环延伸至晶片背面的边缘之下，其特征在于：所述内圈环的表面为耐等离子体腐蚀的金属氧化物，所述外圈环表面为半导体材料。
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