[发明专利]非自校准的非易失性存储器结构无效
| 申请号： | 201110439228.7 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103178096A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 林信章;黄文谦;范雅婷 | 申请（专利权）人： | 亿而得微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非自校准的非易失性存储器结构，包括一第一栅极绝缘层，位于一半导体衬底上；一浮动栅极位于第一栅极绝缘层上；二掺杂区位于半导体衬底中，二掺杂区位于第一栅极绝缘层的二侧，并与第一栅极绝缘层邻接；一第二栅极绝缘层位于浮动栅极上；以及，一控制栅极位于第二栅极绝缘层上，且位于浮动栅极上方的控制栅极的宽度小于浮动栅极的宽度，非位于浮动栅极上方的控制栅极的宽度等于或大于浮动栅极的宽度。利用两个非自校准的栅极，此种非易失性存储器结构无须做到栅极线对线校准的需求，由此进一步降低非易失性存储器结构制程的复杂度、所需使用的光罩层数、以及制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 非易失性存储器 结构 | ||
【主权项】：
一种非自校准的非易失性存储器结构，其特征在于，包括有：一半导体衬底；一第一栅极绝缘层，位于所述半导体衬底上；一浮动栅极，位于所述第一栅极绝缘层上；二掺杂区，位于所述半导体衬底中，所述二掺杂区位于所述第一栅极绝缘层的二侧，并与所述第一栅极绝缘层邻接；一第二栅极绝缘层，位于所述浮动栅极上；以及一控制栅极，位于所述第二栅极绝缘层上，且在所述浮动栅极上方的所述控制栅极的宽度小于所述浮动栅极的宽度。
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